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  • industrielle AIN Aluminiumoxid Keramik Kühlkörper Ringplatte
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FOB
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15 Days
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Ocean,Land,Air
Port:
Shenzhen
  • Produktbeschreibung
Overview
Product Attributes

ModellAIN 008

MarkeHart

Supply Ability & Additional Informations

VerpakungAngepasst

TransportOcean,Land,Air

Ort Von ZukunftGuangdong, China

Versorgungsmaterial-Fähigkeit1,000,000 pcs/Month

Zertifikate SGS

HafenShenzhen

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kundenspezifische industrielle AIN Aluminiumoxid Keramik Kühlkörper Ringplatte

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Alunin-Nitrid-Keramik:

Aluminiumnitrid, eine kovalente Bindungsverbindung, ist ein Atomkristall, der zu diamantartigem Nitrid, hexagonalem Kristallsystem, Wurtzitkristallstruktur, ungiftig, weiß oder cremefarben gehört. AlN kann bis zu 2200 ℃ stabilisiert werden. Die Raumtemperaturfestigkeit ist hoch und die Festigkeit nimmt mit steigender Temperatur langsam ab. Es hat eine gute Wärmeleitfähigkeit und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, was es zu einem guten Wärmeschockmaterial macht. Es hat eine starke Beständigkeit gegen Korrosion geschmolzenen Metalls und ist ein ideales Tiegelmaterial zum Schmelzen und Gießen von reinem Eisen, Aluminium oder einer Aluminiumlegierung. Aluminiumnitrid ist auch ein elektrischer Isolator mit guten dielektrischen Eigenschaften und als elektrische Komponente sehr vielversprechend. Die Aluminiumnitridbeschichtung auf der Oberfläche von Galliumarsenid kann es während des Temperns vor Ionenimplantation schützen. Aluminiumnitrid ist auch ein Katalysator für die Umwandlung von hexagonalem Bornitrid zu kubischem Bornitrid. Es reagiert langsam mit Wasser bei Raumtemperatur. Es kann aus Aluminiumpulver bei 800 bis 1000 ° C in Ammoniak- oder Stickstoffatmosphäre synthetisiert werden. Das Produkt ist weißes bis graublaues Pulver. Oder durch das Al2O3-C-N2-System bei 1600 ~ 1750 ° C synthetisiert, ist das Produkt cremefarbenes Pulver. Oder Aluminiumchlorid und Ammoniak werden durch Gasphasenreaktion hergestellt. Die Beschichtung kann durch Aufdampfen im AlCl3-NH3-System synthetisiert werden [1]. Aluminiumnitrid wurde erstmals 1877 synthetisiert. In den 1980er Jahren war Aluminiumnitrid ein Keramikisolator (polykristallines Material war 70-210 W10m - 1 −K-1 und Einkristall konnte bis zu 275 W‧m - 1 betragen ‧K - 1) hat das Stickstoffaluminium eine hohe Wärmeübertragungsfähigkeit, so dass Aluminiumnitrid in der Mikroelektronik weit verbreitet ist. Im Gegensatz zu Berylliumoxid ist Aluminiumnitrid ungiftig. Aluminiumnitrid wird mit Metall behandelt, das in einer Vielzahl elektronischer Instrumente Aluminiumoxid und Berylliumoxid ersetzen kann. Aluminiumnitrid kann durch Reduzieren von Aluminiumoxid und Kohlenstoff oder direktes Nitrieren von Metallaluminium hergestellt werden. Aluminiumnitrid ist eine Substanz, die durch kovalente Bindungen verbunden ist. Es hat eine hexagonale Kristallstruktur, die gleiche Form wie Zinksulfid und Wurtzit.

Aluminiumnitrid hat eine hohe Härte und übertrifft herkömmliches Aluminiumoxid. Es handelt sich um eine neue Art von verschleißfestem Keramikmaterial, das jedoch aufgrund seiner hohen Kosten nur für stark verschlissene Teile verwendet werden kann.
Unter Verwendung von AIN-Keramik für Wärmebeständigkeit, Schmelzerosion und Wärmeschockbeständigkeit können GaAs-Kristalltiegel, Al-Verdampfungsschale, Magnetfluid-Stromerzeugungsvorrichtung und korrosionsbeständige Hochtemperaturturbinenteile hergestellt und ihre optischen Eigenschaften als Infrarotfenster verwendet werden. Der Aluminiumnitridfilm kann zu einem piezoelektrischen Hochfrequenzelement, einem Substrat für integrierte Schaltkreise in sehr großem Maßstab oder dergleichen verarbeitet werden.
Aluminiumnitrid hitzebeständig, beständig gegen Erosion geschmolzenen Metalls, säurestabil, aber in alkalischer Lösung leicht zu erodieren. Die frische AIN-Oberfläche ist feuchter Luft ausgesetzt und reagiert unter Bildung eines sehr dünnen Oxidfilms. Durch Nutzung dieser Eigenschaft kann es als Tiegel und Druckgussformmaterial zum Schmelzen von Metallen wie Aluminium, Kupfer, Silber und Blei verwendet werden. AIN-Keramiken haben gute Metallisierungseigenschaften und können in der Elektronikindustrie als Alternative zu toxischem Ceroxid weit verbreitet eingesetzt werden.

Datenblatt:

Ø (1) hohe Wärmeleitfähigkeit (ca. 320 W / m · K) nahe BeO und SiC, mehr als das Fünffache von Al2O3;
Ø (2) Der Wärmeausdehnungskoeffizient (4,5 × 10-6 ° C) wird an Si (3,5-4 × 10-6 ° C) und GaAs (6 × 10-6 ° C) angepasst;
Ø (3) ausgezeichnete elektrische Eigenschaften (Dielektrizitätskonstante, Dielektrizitätsverlust, Volumenwiderstand, Durchschlagfestigkeit);
Ø (4) gute mechanische Eigenschaften, höhere Biegefestigkeit als Al2O3- und BeO-Keramik, können bei Normaldruck gesintert werden;
Ø (5) gute optische Übertragungseigenschaften;
Ø (6) ungiftig;


Anwendungsbranche :

Aluminiumnitridpulver hat eine hohe Reinheit, eine kleine Partikelgröße und eine hohe Aktivität und ist der Hauptrohstoff für die Herstellung eines Aluminiumnitrid-Keramiksubstrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit.
Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat, hohe Wärmeleitfähigkeit, niedriger Ausdehnungskoeffizient, hohe Festigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit, chemische Korrosionsbeständigkeit, hoher spezifischer Widerstand, geringer dielektrischer Verlust sind ideale ideale Kühlkörper-Substrate und Verpackungsmaterialien für integrierte Schaltkreise im großen Maßstab.

AIN ceramics

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Produktgruppe : Andere Materialien > Aluminiumnitrid-Keramik

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