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Siliziumnitridkeramik:
Wie gewöhnliche Dioden bestehen Siliziumnitrid-lichtemittierende Dioden aus einer PN-Übergang und haben auch eine unidirektionale Leitfähigkeit. Wenn eine Vorwärtsspannung auf die lichtemittierende Diode aufgetragen wird, sind die vom p-Region injizierten Löcher und die vom N-Region injizierten Elektronen jeweils mit den Elektronen im N-Bereich und den leeren Löchern verbunden In der P -Region innerhalb weniger Mikrometer in der Nähe der PN -Übergang. Lochrekombination, was zu einer spontanen Fluoreszenzemission führt. Die Energiezustände von Elektronen und Löchern in verschiedenen Halbleitermaterialien sind unterschiedlich. Wenn Elektronen und Löcher rekombine sind, ist die freigesetzte Energie etwas unterschiedlich, je mehr Energie freigesetzt wird, desto kürzer die Wellenlänge des Lichts. Häufig verwendete Dioden, die rotes, grünes oder gelbes Licht emittieren. Die umgekehrte Breakdown-Spannung der lichtemittierenden Diode beträgt größer als 5 Volt. Seine Vorwärtsvolt-Ampere-charakteristische Kurve ist sehr steil, und ein stromlimitierender Widerstand muss in Reihe angeschlossen werden, um den Strom durch die Diode zu steuern.
Der zentrale Teil der lichtemittierenden Diode ist ein Wafer, der aus Halbleitern vom Typ P-Typ und Halbleitern vom Typ N besteht, und es gibt eine Übergangsschicht zwischen den Halbleitern vom P-Typ und den N-Typ-Halbleitern, die als PN-Junction bezeichnet wird. In der PN -Verbindung einiger Halbleitermaterialien wird die überschüssige Energie in Form von Licht freigesetzt, wenn sich die injizierten Minderheitsträger mit den Mehrheitsträgern rekombinieren, wodurch die elektrische Energie direkt in Lichtenergie umgewandelt wird. Wenn die Umkehrspannung auf die PN -Übergang angewendet wird, fällt es für Minderheitenträger schwierig, injiziert zu werden, sodass sie kein Licht emittiert. Wenn es sich in einem Vorwärtsarbeitszustand befindet (dh eine Vorwärtsspannung auf beide Enden angewendet wird), emittiert der Strom von der LED -Anode zur Kathode, der Halbleiterkristall leuchtet das Licht unterschiedlicher Farben von Ultraviolett bis Infrarot. Die Intensität des Lichts hängt mit dem Strom zusammen.
Siliziumnitrid-Keramikstrukturteile können zur Herstellung von Siliziumnitrid-Lichtdioden verwendet werden, die strukturelle Unterstützung bieten und die Stabilität und Haltbarkeit der LED-Komponenten sicherstellen.
Eigenschaften :
Hohe Härte, hohe Festigkeit, Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, hohe Temperatur (1200 ° ), gute thermische Diffusivität, gute thermische Stoßwiderstand (vermeiden Sie die Temperatur schnell ändern), gute Insulativität, niedrige Dichte. Die umfassenden Eigenschaften sind am besten in den meisten Struktur Keramik.
Datenblatt ↓
Farbe: Schwarz grau
Dichte: ＞ 3,2 g/cm3
Härte: HRA90
Vickers Härte (HV50): ＞ 1550 HV0.5
Elastizitätsmodul: 290GPA
Biegefestigkeit: ＞ 600mpa
Druckfestigkeit: 2500mpa
Elastizitätsmodul (25 ° C): 65GPA
Frakturschärfe: ＞ 6,0 MPAM1/2
Maximale Verwendungstemperatur: 1200 ° C
Wärmeleitfähigkeit: 15-20 W (MK)
Wärmeleitkoeffizient: ＞ 3,1 10-6/° C
Wärmeschockwiderstand: 500 △ T ° C
Spezielle Wärmekapazität: 700 kJ/kg.k
Dielektriefestigkeit: 1 kV/mm
Dielektrizitätskonstante: er
Volumenwiderstand (20 ° C): 1,0*10 (12) ω.Cm
Anwendungsbranche :
Maschinerie, elektronisch, Halbleiter, Chemikalie, Erdöl, Schmelz.
Bestimmte Anwendung:
Schweißwelle, elektronisches Substrat, Kolben, Düse, Schleifführer, Dieselteile, Metallform, Wellenräder usw.
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