Dongguan Haikun New Material Co., Ltd.

  • Elektrische Isolierung Si3N4 Siliziumnitrid-Bearbeitungsteile
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Elektrische Isolierung Si3N4 Siliziumnitrid-Bearbeitungsteile

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    ≥10000
    Piece/Pieces
Zahlungsart:
L/C,T/T,D/P,Paypal
Incoterm:
FOB
Minimum der Bestellmenge:
1 Piece/Pieces
Transport:
Ocean,Land,Air
Hafen:
Shenzhen
  • Produktbeschreibung
Overview
Produkteigenschaften

ModellSi3N4 263

MarkeHart

HerkunftsortChina

SpeziesKeramikteile

AnwendungIndustriekeramik

VerarbeitungsserviceBiegen, Schweißen, Schneiden, Stanzen, Abwickeln, Formen

Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen

VerpakungAngepasst

TransportOcean,Land,Air

Ort Von ZukunftGuangdong, China

Unterstützung über1,000,000 pcs/Month

Zertifikate SGS

HS-Code6914900000

HafenShenzhen

ZahlungsartL/C,T/T,D/P,Paypal

IncotermFOB

Verpackung & Lieferung
Verkaufseinheiten:
Piece/Pieces
Pakettyp:
Angepasst
Bildbeispiel:

Elektrische Isolierung SI3N4 Siliziumnitridbearbeitungsteile

Der Ruf hängt von Qualität ab, Qualität kommt von hart!


Siliziumnitridkeramik:

Zirkonia Blinking Light-Emitting Diode (BTS) ist ein spezielles lichtemittiges Gerät, das aus CMOS-integrierten Schaltkreisen und lichtemittierenden Dioden besteht, die zur Alarmanzeige sowie zur Unterspannung und zur Überspannungsanzeige verwendet werden können.
Wenn die blinkende lichtemittierende Diode verwendet wird, müssen andere Komponenten nicht angeschlossen werden, solange die entsprechende DC-Arbeitsspannung (5 V) an beide Enden ihrer Stifte angewendet wird, kann sie Licht blinken und emittieren. Infrarot-lichtemittierende Dioden, auch als Infrarot-emittierende Dioden bekannt, sind lichtemittierende Geräte, die elektrische Energie direkt in Infrarotlicht (unsichtbares Licht) umwandeln und ausstrahlen können. Sie werden hauptsächlich in verschiedenen Leichtkontroll- und Fernbedienungsemissionskreisen verwendet.

Die Struktur und das Prinzip von Infrarot-lichtemittierenden Dioden ähneln den gewöhnlichen lichtemittierenden Dioden, die verwendeten Halbleitermaterialien sind jedoch unterschiedlich. Infrarot-lichtemittierende Dioden verwenden normalerweise Materialien wie Galliumarsenid (GaAs) und Gallium-Aluminiumarsenid (Gaalas) und sind mit vollständig transparenten oder hellblauen und schwarzen Harzen verpackt. Am häufigsten verwendete Infrarot-Licht-emittierende Dioden sind SIR-Serien, SIM-Serien, PLT-Serien, GL-Serien, HIR-Serien und HG-Serien. Ultraviolette Lichtdioden (UV -LEDs) basierend auf Halbleitermaterialien haben die Vorteile von Energieeinsparung, Umweltschutz und langer Lebensdauer und haben einen großen Anwendungswert in den Bereichen Sterilisation, medizinische Behandlung und biochemischer Erkennung.

In den letzten Jahren haben die ultravioletten Halbleiter -optoelektronischen Materialien und Geräte wie Siliziumnitrid -Keramikstrukturteile weltweit immer mehr Aufmerksamkeit erregt und zu einem Hotspot für Forschung und Entwicklung geworden. Vom 9. bis 12. Dezember 2018 wurde das 3. "Internationale Symposium für ultraviolette Materialien und Geräte" (IWUMD-2018) vom Institut für Halbleiter veranstaltet, die chinesische Akademie der Wissenschaften in Kunming in der Provinz Yunnan. Mehr als 270 Vertreter aus 12 Ländern nahmen an dem Treffen teil. Diese Konferenz brachte die neuesten Forschungs- und Entwicklungsberichte vieler Top-Experten in den Bereichen UV-lichtemittierende Diodenmaterialien und -geräte im In- und Ausland zusammen.


2 Png

Eigenschaften :

Hohe Härte, hohe Festigkeit, Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, hohe Temperatur (1200 ° ), gute thermische Diffusivität, gute thermische Stoßwiderstand (vermeiden Sie die Temperatur schnell ändern), gute Insulativität, niedrige Dichte. Die umfassenden Eigenschaften sind am besten in den meisten Struktur Keramik.


Datenblatt ↓

Farbe: Schwarz grau
Dichte: > 3,2 g/cm3
Härte: HRA90
Vickers Härte (HV50): > 1550 HV0.5
Elastizitätsmodul: 290GPA
Biegefestigkeit: > 600mpa
Druckfestigkeit: 2500mpa
Elastizitätsmodul (25 ° C): 65GPA
Frakturschärfe: > 6,0 MPAM1/2
Maximale Verwendungstemperatur: 1200 ° C
Wärmeleitfähigkeit: 15-20 W (MK)
Wärmeleitkoeffizient: > 3,1 10-6/° C
Wärmeschockwiderstand: 500 △ T ° C
Spezielle Wärmekapazität: 700 kJ/kg.k
Dielektriefestigkeit: 1 kV/mm
Dielektrizitätskonstante: er
Volumenwiderstand (20 ° C): 1,0*10 (12) ω.Cm

Anwendungsbranche :

Maschinerie, elektronisch, Halbleiter, Chemikalie, Erdöl, Schmelz.


Bestimmte Anwendung:

Schweißwelle, elektronisches Substrat, Kolben, Düse, Schleifführer, Dieselteile, Metallform, Wellenräder usw.


Warum uns wählen?
1,12 Jahre professionelle Produktionskeramikfabrik professionelle Produktion
2. hohe Qualitätsprodukte mit niedrigem Preis
3. Hohe Präzisionsteile mit niedrigster Toleranz
4. Short -Zeit für die Produktion
5. hat eine Gruppe erfahrener, professioneller und effizienter F & E -Team
6. Hat einen guten Ruf in China und im Ausland.

7.moq ist nicht begrenzt, kleine Menge ist willkommen.

8. Vigorous Team und guter After-Sales-Service


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silicon nitride



Manufacturing Process


FAQ

F: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
A: Wir sind Fabrik.

F: Wie lange dauert Ihre Lieferzeit?
A: Im Allgemeinen sind es 5-10 Tage, wenn die Waren auf Lager sind. Oder es sind 15-30 Tage, wenn die Waren nicht auf Lager sind, sondern entsprechend der Menge.

F: Stellen Sie Proben an? Ist es kostenlos oder extra?
A: Ja, wir könnten die Probe für die kostenlose Gebühr anbieten, aber nicht die Frachtkosten zahlen.
F: Was sind Ihre Zahlungsbedingungen?

A: Zahlung <= 1000USD, 100% im Voraus. Zahlung> = 1000USD, 50% T/T im Voraus, Guthaben vor dem Versand.

Produktgruppe : Siliziumnitridkeramik > Keramische Bauteile aus Siliziumnitrid

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